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| イメージセンサーの総生産能力を約87,000枚/月へ拡大し、スマートフォンへの供給体制を強化 |
東京, 2015年4月7日 - (JCN Newswire) - ソニー株式会社（以下、ソニー）は、ソニーセミコンダクタ株式会社（以下、ソニーセミコンダクタ）において、積層型CMOSイメージセンサー※1の生産能力増強を目的とした設備投資を2015年度に実施します。
 | | ソニー、積層型CMOSイメージセンサーの生産能力を更に増強 |
今回の設備投資は、長崎テクノロジーセンター（以下、長崎テック）と山形テクノロジーセンター（以下、山形テック）において実施され、主に積層型CMOSイメージセンサーに関するマスター工程と重ね合わせ工程以降※2の製造設備の増強に充てられます。
本年2月に発表した設備投資※3や今回の追加設備投資などにより、ソニーのイメージセンサーの総生産能力は、現在の約60,000枚/月から2016年9月末時点で約87,000枚/月まで増強されます。※4
今回の設備投資の総額は約450億円を見込んでおり、その内訳は長崎テックに約240億円と山形テックに約210億円です。
積層型CMOSイメージセンサーは、高画質化と高機能化、小型化を実現できるため、スマートフォンやタブレットなど拡大するモバイル機器市場において、今後さらなる需要増が見込まれています。
ソニーは、積層型CMOSイメージセンサーの生産能力を増強し、イメージセンサー事業におけるリーディングポジションをさらに強固なものにします。
設備投資の概要
投資目的: 積層型CMOSイメージセンサーの需要拡大に対応するための生産能力増強
投資場所:
ソニーセミコンダクタ株式会社
長崎テック（長崎県諫早市）、山形テック（山形県鶴岡市）
投資内容: 主に積層型CMOSイメージセンサー（マスター工程／重ね合わせ工程以降）の製造設備を増強
投資金額: 約450億円（見込額）
＜内訳＞ 長崎テック: 約240億円、山形テック: 約210億円
本リリースの詳細は下記URLをご参照ください。
http://www.sony.co.jp/SonyInfo/News/Press/201504/15-031/
※1 裏面照射型CMOSイメージセンサーの支持基板の代わりに信号処理回路が形成された半導体チップを用い、その上に裏面照射型画素が形成された半導体チップを重ね合わせた、積層構造のCMOSイメージセンサーです。
※2 マスター工程とは、積層型CMOSイメージセンサーのフォトダイオード製造や配線工程などを表します。 重ねあわせ工程とは、積層型CMOSイメージセンサーの生産にあたり、裏面照射型画素及び信号処理回路のそれぞれが形成された半導体チップを重ね合わせる工程を表します。
※3 総額約1,050億円を投資して現在の約60,000枚/月から2016年6月末時点で約80,000枚/月まで増強することは、2015年2月2日に発表済み。
※4 総生産能力（300mmウェーハ枚数ベース）の算出は、一部の製造工程の他社委託分を含めており、また、鹿児島テクノロジーセンター及び長崎テクノロジーセンターの200mmウェーハラインの生産能力分を300mmウェーハベースで換算しています。
概要：ソニー
詳細は www.sony.co.jp をご覧ください。
トピック: Press release summary
Source: Sony
https://www.acnnewswire.com
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