English | 简体中文 | 繁體中文 | 한국어 | 日本語
2019年10月1日 14時00分 JST
Share:
    

Source: Mitsubishi Electric
三菱電機、独自の電界緩和構造を採用したトレンチ型SiC-MOSFETを開発
パワーエレクトロニクス機器のさらなる省エネ化・小型化に貢献

東京, 2019年10月1日 - (JCN Newswire) - 三菱電機株式会社は、1500V以上の耐圧性能と世界最高レベル※1の素子抵抗率1cm2あたり1.84ミリオームを両立するパワー半導体素子として、独自の電界緩和構造を採用したトレンチ型※2SiC※3 -MOSFET※4を開発しました。

本パワー半導体素子をパワー半導体モジュールに搭載することで、パワーエレクトロニクス機器のさらなる省エネ化や小型化に貢献します。

なお、本開発成果の詳細は、「ICSCRM※5 2019(9月29日~10月4日、於:国立京都国際会館)」で本日(9月30日)発表します。

開発の特長
1. 独自の電界緩和構造により、素子の信頼性を確保
- 独自の電界緩和構造により、トレンチ構造で、1500V以上の耐圧性能を保持しながら、電界強度を従来のプレーナー型構造並みに抑制し、素子の信頼性を確保
- 斜め方向からアルミニウムを注入することにより形成された側面接地部にて電界緩和層とソース電極を電気的に接続し、高速スイッチング動作を実現

2. 局所的な高濃度層形成により、世界最高レベルの低抵抗化を実現
- 斜め方向から窒素を高濃度に注入することにより、より通電しやすい高濃度層を局所的に形成して電流経路の抵抗を低減
- 素子抵抗率を半減※6し、世界最高レベルの1cm2あたり1.84ミリオームを実現
- 発熱の抑制により、パワーエレクトロニクス機器の省エネ化・小型化に貢献

今後の展開
パワー半導体素子のさらなる特性向上を図るとともに、長期信頼性評価を進め、2021年度以降の実用化を目指します。

本リリースの詳細は下記をご参照ください。
http://www.mitsubishielectric.co.jp/news/2019/0930.html

概要:三菱電機株式会社

詳細は http://www.mitsubishielectric.co.jp をご覧ください。

トピック: Press release summary
Source: Mitsubishi Electric

セクター: Electronics
https://www.acnnewswire.com
From the Asia Corporate News Network


Copyright © 2024 ACN Newswire. All rights reserved. A division of Asia Corporate News Network.

 

Mitsubishi Electric Related News
Wednesday, 22 May 2024, 11:00 JST
Mitsubishi Electric Building Solutions Launches the NEXIEZ-Fit Elevator
Monday, 26 February 2024, 11:00 JST
Mitsubishi Electric Building Solutions to Supply Elevators and Escalators for New Capital Relocation Project in Indonesia
2023年10月10日 19時30分 JST
米コヒレント、デンソーと三菱電機よりSiC事業向け出資10億ドル受け入れへ
2023年7月20日 16時00分 JST
三菱電機、小型家電由来 廃プラスチックの資源循環プロセス確立に向けた調査・分析を開始
2023年5月29日 12時00分 JST
三菱電機と三菱重工の会社分割(簡易吸収分割)による発電機分野での事業統合に関わる統合契約締結に関するお知らせ
More news >>
Copyright © 2024 ACN Newswire - Asia Corporate News Network
Home | About us | Services | Partners | Events | Login | Contact us | Cookies Policy | Privacy Policy | Disclaimer | Terms of Use | RSS
US: +1 214 890 4418 | China: +86 181 2376 3721 | Hong Kong: +852 8192 4922 | Singapore: +65 6549 7068 | Tokyo: +81 3 6859 8575