引领功率半导体市场变革氮化镓龙头英诺赛科港股招股中

2024年12月19日 19時00分

香港, 2024年12月19日 - (亚太商讯) - 近年来，随着新能源产业的蓬勃发展，以及智能制造、工业互联网等新兴领域的兴起，功率半导体器件市场需求增长迅猛。其中，以氮化镓为代表的第三代半导体材料，凭借优秀的物理性能和广泛的下游应用场景，已成为推动功率半导体行业变革的核心驱动力。

在这一领域，英诺赛科（苏州）科技股份有限公司（「英诺赛科」或「公司」，2577.HK）是公认的头部企业，凭借强大的技术专长和前瞻布局，稳居行业领先地位。12月18日至12月23日，公司开启港股招股，拟全球发售45,364,000股H股，发售价介乎30.86港元至33.66港元之间，每手100股，预计于12月30日登陆联交所。

技术实力铸就行业翘楚地位

技术是半导体企业生命力的源泉。英诺赛科长期致力于氮化镓技术的研发和创新，积累了深厚的技术基础。截至2024年6月30日，公司在全球有319项专利及430项专利申请，涵盖芯片设计、器件结构、晶圆制造、封装及可靠性测试等关键领域，构建了完善的技术壁垒。

凭借全面的专业知识，英诺赛科设计、开发及制造提供不同封装选择的高性能及可靠的氮化镓分立器件，产品研发范围覆盖15V至1,200V。公司是全球唯一具备产业规模提供全电压谱系的硅基氮化镓半导体产品的公司。依托全电压产品组合，英诺赛科不仅可以满足各类工业应用需求，还支持提供多功能的定制解决方案，显著提高终端应用的性能、效率及可靠性。

值得一提的是，英诺赛科成功开发了全新的量产制程和技术，在8吋硅基氮化镓技术领域成为全球首家实现量产的公司。凭借该技术，英诺赛科可实现远高于6英吋氮化镓晶圆的效率及大幅降低的单颗芯片成本。截至2024年6月30日，公司每月晶圆产能突破12,500片，实现了产业规模商业化，晶圆良率超过95%。以折算氮化镓分立器件计，公司累计出货量超过850百万颗，按折算氮化镓分立器件出货量计，公司2023年出货量位居全球氮化镓功率半导体公司第一，市占率高达42.4%。

IDM模式形成显著竞争优势

在快速发展的氮化镓功率半导体行业中，从设计、制造到测试，每个环节自主把控的IDM模式被证实是最有成效的主流运营架构。英诺赛科的运营战略围绕高度整合的IDM模式，能够先人一步了解幷解决客户面对的痛点，迎合产业需求。

运用行业优选的IDM模式，英诺赛科既确保了产品的稳定交付，亦促进了研发及制造工作在整个产品开发及交付过程中的无缝协调。同时，IDM模式使公司能够较无晶圆厂芯片设计公司更有效地管理成本，从而采用更具竞争力的定价。以IDM模式为支撑，公司有望长期保持先发优势，从技术领先地位中持续受益。

此外，英诺赛科与广泛的国内外知名客户合作，包括领先的半导体制造服务供应商、专门从事可再生能源技术的高科技公司以及汽车OEM的一级供应商。于往绩记录期间，公司向中国和海外约140名客户提供氮化镓产品。

当前，全球氮化镓半导体市场正加速发展，行业方兴未艾。具备领先市场地位、技术优势以及运营优势的英诺赛科，在国际资本加持下，有望把握住功率半导体市场变革机遇，进一步巩固其行业领先地位，实现估值的不断提升。